دليل الناشطين
في الرقميات والتكنولوجيا
الوصف
Capacité
500 Go
Facteur de forme
M.2 2280
Mémoire Flash NAND
3D NAND
Contrôleur
Dimensions (L x W x H)
80 x 22,1 x 7,55mm / 3,15 x 0,87 x 0,3 pouces
Poids
10,4G / 0,37oz
Interface
PCIe Gen3x4
Lecture séquentielle (Max)
Jusqu’à 2500 Mo/s
Écriture séquentielle (Max)
Jusqu’à 1800 Mo/s
4 Ko Lecture aléatoire IOPS(Max)
Jusqu’à 160K
4 Ko Écriture aléatoire IOPS(Max)
Jusqu’à 190K
Température de fonctionnement
0°C - 70°C
Température de stockage
-40°C-85°C
Terabytes Written (TBW)(Max Capacity*)
600 To
Résistance aux chocs
1 500 G/0,5 ms
MTBF
2 000 000 heures
500 Go
Facteur de forme
M.2 2280
Mémoire Flash NAND
3D NAND
Contrôleur
Dimensions (L x W x H)
80 x 22,1 x 7,55mm / 3,15 x 0,87 x 0,3 pouces
Poids
10,4G / 0,37oz
Interface
PCIe Gen3x4
Lecture séquentielle (Max)
Jusqu’à 2500 Mo/s
Écriture séquentielle (Max)
Jusqu’à 1800 Mo/s
4 Ko Lecture aléatoire IOPS(Max)
Jusqu’à 160K
4 Ko Écriture aléatoire IOPS(Max)
Jusqu’à 190K
Température de fonctionnement
0°C - 70°C
Température de stockage
-40°C-85°C
Terabytes Written (TBW)(Max Capacity*)
600 To
Résistance aux chocs
1 500 G/0,5 ms
MTBF
2 000 000 heures
- الفئات: إعلام آلي وهواتف
- المنطقة: باتنة / الجزائر
- وضع في: 19-01-2025 à 17:33:35
