12 500 دج
Capacité 256GB / 512GB / 1TB / 2TB
Facteur de forme M.2 2280
Mémoire Flash NAND 3D NAND
Contrôleur RTS5766DL
Dimensions (L x l x H) 80 x 22 x 3,13 mm / 3,15 x 0,87 x 0,13 pouce (avec dissipateur thermique)
80 x 22 x 2,15 mm / 3,15 x 0,87 x 0,09 pouce (sans dissipateur thermique)
Poids 9 g / 0,32oz (avec dissipateur thermique)
6,2g / 0,22oz (sans dissipateur thermique)
Interface PCIe Gen3 x4
Lecture séquentielle (Max) Jusqu’à 2 400 Mo/s*
Écriture séquentielle (Max ) Jusqu’à 1 800 Mo/s*
4 Ko Lecture aléatoire IOPS(Max) Jusqu'à 200K*
4 Ko Écriture aléatoire IOPS(Max) Jusqu'à 150K*
Température de fonctionnement 0°C - 70°C
Température de stockage -40°C - 85°C
Résistance aux chocs 1500G/0.5ms
MTBF 1 500 000 heures
Téraoctets écrits (TBW) 520 To**
Facteur de forme M.2 2280
Mémoire Flash NAND 3D NAND
Contrôleur RTS5766DL
Dimensions (L x l x H) 80 x 22 x 3,13 mm / 3,15 x 0,87 x 0,13 pouce (avec dissipateur thermique)
80 x 22 x 2,15 mm / 3,15 x 0,87 x 0,09 pouce (sans dissipateur thermique)
Poids 9 g / 0,32oz (avec dissipateur thermique)
6,2g / 0,22oz (sans dissipateur thermique)
Interface PCIe Gen3 x4
Lecture séquentielle (Max) Jusqu’à 2 400 Mo/s*
Écriture séquentielle (Max ) Jusqu’à 1 800 Mo/s*
4 Ko Lecture aléatoire IOPS(Max) Jusqu'à 200K*
4 Ko Écriture aléatoire IOPS(Max) Jusqu'à 150K*
Température de fonctionnement 0°C - 70°C
Température de stockage -40°C - 85°C
Résistance aux chocs 1500G/0.5ms
MTBF 1 500 000 heures
Téraoctets écrits (TBW) 520 To**
الفئات:
إعلام آلي وهواتف
المنطقة:
الجزائر / الجزائر
وضع في:
24-03-2026 à 11:59:04
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